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【產通社，9月23日訊】2016中國集成電路產業發展研討會暨第19屆中國集成電路制造年會9月20日在廈門召開。長江存儲科技有限責任公司總經理楊士寧博士作為嘉賓出席并發表演講，闡述了他對存儲器領域的見解，并介紹了長江存儲在該領域的進展。他指出，存儲產業目前面臨空前的挑戰和機遇，長江存儲力求把握歷史機遇，以3D NAND為突破點，進軍大規模存儲器領域。
楊士寧博士首先開門見山地表明，長江存儲的主攻方向，就是大規模存儲器領域，也就是目前占存儲器產業總產值95%的DRAM和NAND Flash。這并不是一件容易的事情。楊士寧以目前市場最大的幾種IC產品MPU（Micro- Processing Unit）、DRAM、NAND Flash和MCU為例，他介紹，根據IC Insights的統計數據，這幾種產品都被行業內的少數幾家國際巨頭壟斷了絕大部分市場，這種不平衡是不太健康的。“主流 IC 領域已沒有容易干的活，挑戰是空前的。”
但是，楊士寧認為，存儲產業一定需要平衡者，這反而也給我們帶來了機遇。目前，集成電路市場的55%位于中國，資金和政策也愿意支持企業度過積累期。“我認為，如果有好的項目、好的機制，人才在國內聚集的可能性是相當大的。”
有了機遇，不一定代表會成功。面對如此艱巨的任務，楊士寧分享了自己的見解：成功的必要條件可以歸納為“找對人、砸對錢、做對事”。“找對人”是指要尋找有胸懷、有勇氣、有實干精神、有成功記錄的人。“砸對錢”，是指投資要超前，要投入先進技術的研發。“集成電路行業如果保持現在飛速發展、幾年翻一番的態勢，那我們很容易落后。如果落后5年以上，基本就沒有競爭力了。”“做對事”則是要建立國際化的體制，以自主研發為主、國際合作為輔的方式，“陣地戰”中穿插“運動戰”，參與市場化競爭。
在市占率最大的兩種半導體存儲器DRAM和NAND Flash中，長江存儲果斷地選擇了NAND Flash，并且是新興的3D NAND。楊士寧透露了公司當初的考量，“DRAM和NAND Flash是密不可分的，在很多產品中這兩者都需要。但是，從企業營運的角度來看，先從DRAM還是3D NAND入手，不僅是個技術問題，還是個經濟問題。選擇DRAM多出兩個額外的難度：第一，競爭對手有大量折舊完的產能；第二，DRAM的需求增長相對緩慢。因此，在DRAM領域，我認為合理的做法是并購現有產能。”
反觀閃存，楊士寧介紹，閃存存儲單元技術正在演變，由傳統的浮柵結構轉變為環形柵電荷俘獲（Charge Trap）結構，而電荷俘獲正是長江存儲的技術優勢之一。“長江存儲需要一個突破點。因此我們選擇了3D NAND，我們需要做的，就是制造出三維的電荷俘獲存儲器。這種結構在具備高性能的同時，還兼有低成本的特點，因此很有優勢。”楊士寧還展示了幾組數據，以此說明3D NAND將快速取代2D NAND，并可能在折舊期內盈利。
選擇3D NAND還有一個重要原因：全球除了一家企業比較領先，其余參與者都處在“混戰”的階段。“混戰對新玩家比較有利。研發的難度高、困難大，但這也是一種機遇的體現。”
隨后，楊士寧博士介紹了長江存儲在3D NAND領域的最新情況。公司于2014年8月開啟3D NAND項目，與國際合作伙伴共同研發。自從2015年5月第一個測試芯片通過電學驗證以來，溝道電流、存儲單元性能及可靠性不斷得到提升。并且，長江存儲在更高疊層的產品工藝研發上也取得了更多的突破性進展。
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