【產通社，12月28日訊】盡管2020年全球半導體集成電路（IC）市場不尋常且充滿挑戰，2021年將會逐漸好轉。IC Insights發表的McClean Report預計，2021年全球IC市場年增長可望達到10%以上。

IC Insights表示，在全球經歷了Covid-19災難后，2021年行業在產能開出、產品售價、資本預算和工藝技術等方面都有提升。其中，中國將在半導體舞臺扮演重要角色。

DRAM存儲器方面，三星、SK海力士、美光等三大存儲器公司將在2021年大規模量產下一代DDR5。DDR5 DRAM的傳輸速率可高達6400Mbps，是DDR4DRAM3200Mbps的2倍。另外，DDR5的工作電壓為1.1V，這比DDR4的1.2V降低了9%。而且，DDR5的最大容量為64Gb，這部分則是DDR4產品的4倍。
　　
TrendForce集邦咨詢預測，DDR5在PCDRAM市場中的市占率，將從2020年的不到1%，成長到2021年的10%，足足是10倍以上的成長。尤其是DDR5產品在服務器DRAM市場中，其市占率也將從2020年的4%，提升到2021年的15%。
　　
NAND Flash閃存方面，美光在2020年11月已開始量產全球首批176層堆疊的NAND Flash存儲器，SK海力士也在2020年12月7日經完成176層堆疊NANDFlash快閃存儲器的開發，三星方計劃2021年發布第7代V-NAND快閃存儲器。理論上，第7代V-NAND快閃存儲器最多可以達到256層堆疊的能力。
　　
截至2020年第3季為止，三星電子以33.1%的市占率在全球NANDFlash快閃存儲器市場中排名第一，鎧俠則以21.4%位居第2，西部數據的市占率則為14.3%，位居第3，SK海力士和英特爾的市占率則分別為11.3%和7.9%。
　　
業界預期，NANDFlash快閃存儲器市場的成長將比DRAM市場更快，原因在于智能手機向5G發展，以及資料中心的服務器對SSD的需求所造成，這使得NANDFlash快閃存儲器市場到2024前將以每年30%到35%的速度增長，相較于DRAM的年平均成長率為15%到20%而言，NANDFlash快閃存儲器市場的成長速度快很多，也使得廠商更加注重NANDFlash快閃存儲器市場的發展。（Jack Zhang，產通數據）