【產(chǎn)通社，3月12日訊】臺積電（TSMC）官宣增加1,000億美元，將投資于美國先進(jìn)半導(dǎo)體制造。結(jié)合正在進(jìn)行的650億美元亞利桑那州鳳凰城項目，臺積電在美國的總投資額將達(dá)到1,650億美元。新增投資包含興建三座新晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施、一間研發(fā)團隊中心。對此，產(chǎn)業(yè)人士、經(jīng)濟學(xué)人、臺積電的客戶預(yù)期樂觀。


魏哲家：臺積電技術(shù)突破模式獨特，不會變“美積電”


就臺積電去美國是為了領(lǐng)取補助，魏哲家說“臺積電在哪個地方蓋生產(chǎn)線都是最棒的，去美國不是因為補助，是因為客戶的需求。”

至于研發(fā)中心設(shè)于美國會變成“美積電”，魏哲家表示，臺積電技術(shù)突破模式獨特，所有的投資計劃都是基于客戶的需求，1000億美元的投資金額看似很大，但還是無法滿足客戶。

談及臺積電的“生產(chǎn)線即研發(fā)”策略，魏哲家表示“研發(fā)中心和生產(chǎn)線的核心差異在于，生產(chǎn)線不只是生產(chǎn)技術(shù)，更是臺積電研發(fā)的一部分。”他解釋說，臺積電的對手大多將資源集中于研發(fā)，但臺積電的技術(shù)突破來自于不斷改進(jìn)制程，讓生產(chǎn)線本身就能推動技術(shù)演進(jìn)，也是臺積電領(lǐng)先全球的巨大優(yōu)勢。

他舉例說，5nm制程技術(shù)是由真正的研發(fā)人員開發(fā)，而4nm技術(shù)則是在生產(chǎn)線的優(yōu)化下誕生，3nm來自研發(fā)團隊，而3P（進(jìn)階版3nm）則是生產(chǎn)線技術(shù)提升的成果，目前，臺積電已投入大約1萬名研發(fā)人員，致力于2nm、1.6nm、1.4nm乃至1.0nm技術(shù)的開發(fā)，這些突破需要極高的技術(shù)與資源。

他預(yù)測，即便1000多億美元產(chǎn)能仍無法滿足市場需求，這不是想不想擴展的問題，而是市場需求遠(yuǎn)超預(yù)期。由于目前兩大競爭對手同時也是臺積電的客戶，因此不便評論太多。


高通CEO：長期技術(shù)趨勢將超過任何短期的不確定性


高通CEO Amon表示，長期技術(shù)趨勢將超過任何短期的不確定性。在短期關(guān)稅不確定性的情況下，有許多關(guān)鍵技術(shù)趨勢可能會長期支持芯片企業(yè)的業(yè)務(wù)。

他說，我們正處于“AI驅(qū)動的智能手機重大升級的開端。我們正看到個人電腦向AI電腦轉(zhuǎn)變，汽車正在變成電腦。”


和碩董事長童子賢：明星投手不能只在本壘投球


童子賢認(rèn)為，外界擔(dān)憂“臺灣產(chǎn)業(yè)遭掏空”是過度憂慮。他比喻臺積電如同國際棒球賽中的明星投手，不能只待在本壘板上投球，而是要靈活應(yīng)對不同場景，確保自身競爭力。

就企業(yè)策略來講，臺積電此次布局非常棒。這是一次難得的好機會，臺積電拿到了車票，拿到了能夠深度布局另外一個掌握全球半導(dǎo)體市場的金鑰匙。（鐠元素）