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快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)12月5日推出業界封裝最小的P溝道MOSFET器件FDZ191P，可為各種低壓(<20V)可攜式電子產品提供功率轉換、充電和負載管理所需的最佳熱性能和電氣性能。特別適合這個器件的應用物件包括：流動電話、數碼相機、MP3播放器、醫療設備，以及其他智能式，小型化的可攜式產品。
快捷半導體的FDZ191P器件的性能優于市場上大部分專為低壓應用而設計的功率MOSFET。FDZ191P作為PowerTrench MOSFET，采用了快捷半導體最新的晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)，因而具有出色的熱阻(83℃/W)和低RDS(ON) (4.5V時為67mΩ)。FDZ191P具有超小型(1.0×1.5×0.65mm) 封裝，與同類器件相比能節省至少30% 的電路板空間，而且最大的封裝高度僅為0.65mm，使其非常適用于高密度產品和超薄型消費電子產品的設計。FDZ191P還能夠工作于1.5V的低電壓，這在功率管理設計中是一個重要的特性。此外，FDZ191P還滿足全球電子產品應用要求的所有“綠色”和RoHS標準。
快捷半導體低壓功率產品部市務總監Chris Winkler稱：“快捷半導體的FDZ191P正在為超小型及高性能MOSFET市場設立新的標準，并同時印證了快捷半導體的專業技術，結合高密度的MOSFET硅片來開發尖端的封裝技術。快捷半導體采用1.0×1.5mm WL-CSP封裝的產品系列正不斷擴展，為設計人員提供了理想的解決方案，能夠應付低壓設計對于空間和功率管理電路方面的挑戰。”
FDZ191P的主要優點包括：
·超小的封裝和高度：僅占用1.5mm2的印刷電路板面積，當安裝在印刷電路板上時，FDZ191P的高度不超過0.65mm，因此適用于各種高密度應用；
·出色的熱性能和電氣性能：FDZ191P提供優良的散熱特性 (安裝在1"×1"銅焊盤上時，Rthja = 83℃/W)。它還可滿足可攜式產品的功率管理設計要求(Vgs = 4.5V 時典型的RDS(ON) 為67mΩ，Vgs=2.5V時RDS(ON)為85mΩ)；
·高功率和大電流處理能力：安裝在1"×1"銅焊盤上時，FDZ191P有助于實現1.5W的功率耗散(Pd)和3A的連續漏極電流(ID)；
·滿足RoHS/綠色標準要求：FDZ191P能達致國際性的RoHS標準和綠色標準。
這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。目前已經有現貨供應，交貨期為收到訂單后12周內。查詢詳情，請瀏覽快捷半導體的網頁，網址為：www.fairchildsemi.com，或聯絡快捷半導體香港辦事處，電話為(852) 2722 8338。要了解相關產品的更多資訊，請訪問網頁：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDZ191P.pdf。 （完）
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