（產(chǎn)通社/深圳，10月10日訊）Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）日前宣布推出新系列P通道MOSFET，這些器件建立了每單位面積最低導(dǎo)通電阻的新記錄。

基于新一代TrenchFET芯片技術(shù)的新型Vishay Siliconix器件采用PowerPAK SC-70封裝（2.05×2.05mm）時最大導(dǎo)通電阻額定值為29毫歐，采用標(biāo)準(zhǔn)SC-70封裝（2.0×2.1mm）時為80毫歐，采用SC-89封裝（1.6×1.6mm）時為130毫歐。與市場上僅次之的MOSFET相比，這些新型Vishay Siliconix器件的規(guī)格表現(xiàn)了高達(dá)63%的改進(jìn)。

這些新型P通道TrenchFET將用于手機(jī)、MP3播放器、PDA及數(shù)碼相機(jī)等便攜式終端產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)、PA開關(guān)及電池開關(guān)，在這些應(yīng)用中，它們的低傳導(dǎo)損失將有助于延長電池的運行時間，它們的微型封裝將節(jié)省寶貴的板面空間，從而實現(xiàn)更多功能。

在便攜式電子系統(tǒng)中，通過在顯示器或功率放大器等功能不用時關(guān)閉它們，或?qū)⑾到y(tǒng)從活動模式切換到睡眠模式，P通道MOSFET執(zhí)行基本功能，從而節(jié)省電池使用時間。執(zhí)行這些切換任務(wù)時，這些新型Vishay Siliconix器件的功耗低于市場上的先前任何P通道功率MOSFET，因為它們超低的導(dǎo)通電阻額定值會直接體現(xiàn)成更低的導(dǎo)電損失。

日前推出的P通道TrenchFET包括具有-12V、-20V及-30V擊穿電壓額定值的單通道器件，如Si1065X、Si1067X、Si1069X、Si1071X、Si1073X、Si1469DH、Si1471DH、Si1473DH、SiA413DJ、SiA421DJ。這些器件采用6引腳SC-89、標(biāo)準(zhǔn)SC-70及PowerPAK SC-70封裝，所有封裝均無鉛(Pb)，符合當(dāng)今的環(huán)保要求。

Vishay Siliconix是首家推出TrenchFET技術(shù)的供應(yīng)商。憑借這些新型器件，該公司擴(kuò)展了包含采用眾多封裝類型的N通道及P通道TrenchFET。目前，這些新型P通道TrenchFET功率MOSFET的樣品和量產(chǎn)批量均可提供，大宗訂單的供貨周期為12～14周。更多信息，請訪問http://www.vishay.com/company/press/releases/2007/071010mosfet/。