（產(chǎn)通社/深圳，11月21日訊）設(shè)計與制造高性能射頻系統(tǒng)與解決方案的全球領(lǐng)先者——RF Micro Devices（Nasdaq GS股市代號：RFMD）在其分析日宣布，公司已通過了第一代48V氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)的技術(shù)認(rèn)證。
RFMD堪稱全球領(lǐng)先的復(fù)合半導(dǎo)體制造商，公司充分利用了現(xiàn)有制造資產(chǎn)以及在高量產(chǎn)復(fù)合半導(dǎo)體設(shè)計與制造方面業(yè)經(jīng)驗證的專業(yè)技能，以提供其最新GaN工藝技術(shù)所具有的出色熱性能及RF性能。RFMD已開始向多個終端市場中的客戶預(yù)批量發(fā)運其48V GaN技術(shù)。
RFMD的48V GaN工藝技術(shù)非常適于滿足客戶日益增長的對更高功率、更高效率及更大帶寬的需求。公司正在瞄準(zhǔn)多個高增長應(yīng)用，包括高線性有線電視線路放大器、軍用雷達(dá)應(yīng)用、高帶寬無線基礎(chǔ)設(shè)施功率放大器，以及面向創(chuàng)新高亮度光發(fā)生應(yīng)用的功率模塊。
RFMD多市場產(chǎn)品部總裁Bob Van Buskirk指出：“我們正在生產(chǎn)以及正在開發(fā)的多個產(chǎn)品將從我們最新GaN技術(shù)的引用中獲益。這種新的工藝技術(shù)為我們新成立的多市場產(chǎn)品組提供了直接的競爭優(yōu)勢，我們GaN技術(shù)在多個終端市場中的不斷部署將支持我們有關(guān)收入與利潤隨我們多市場產(chǎn)品組的持續(xù)發(fā)展而增長的預(yù)期。”
Van Buskirk繼續(xù)說道，“與當(dāng)前可用的技術(shù)相比，RFMD的新GaN工藝技術(shù)可提供更高效率、更大的運行帶寬以及更高的強(qiáng)健性。這些性能特性正在支持多個高增長應(yīng)用中的有利設(shè)計活動。”
RFMD的高效率、高功率GaN工藝技術(shù)在48V時展現(xiàn)出一流的RF性能，并且具有5.6W/mm平均Psat、超高60%的平均峰值PAE，以及在頻率為2.1GHz時24dB的平均小信號增益。與當(dāng)前可用的傳統(tǒng)技術(shù)相比，RFMD GaN技術(shù)的固有電氣特性及出色可靠性提高了帶寬、功率及效率。通過在多個晶圓批次上使用三溫測試，計算的180攝氏度（工作結(jié)溫）時的中值失效時間(MTTF)大于1x106小時。
更多RFMD信息，請訪問：www.rfmd.com。
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