【產通社，11月2日訊】安世半導體（Nexperia；原恩智浦標準產品事業部）官網消息，靜電放電（ESD）和電磁干擾（EMI）是面臨的主要設計挑戰，特別是涉及易受靜電放電（ESD）損害的現代高速和超高速接口的情況下。然而，在不影響系統性能的情況下，還同時兼顧ESD保護和EMI濾波則使設計變得更加復雜。在充分了解防止快速高壓浪涌或較低極端電壓電平的較長脈沖挑戰之后，設計人員可以從一開始就采用最有效的ESD拓撲結構。
 
本ESD應用手冊提供了有關ESD原因、故障癥狀以及確保設計獲得充分保護的必要步驟等重要信息，甚至考慮了最靈敏接口的情形。它借鑒了Nexperia在該技術領域的廣泛知識經驗，包括我們在測試設計和故障分析方面所做的工作。還介紹了科學的ESD保護器件選擇過程，解決了耗時且不一定能找到最佳解決方案的試錯測試問題。



ESD設計工程師指南目錄如下：
- ESD保護器件的數據手冊參數；
- ESD測試標準和TLP測試；
- ESD保護原理；
- SEED（高效的系統級ESD設計）；
- 利用共模濾波器實現EMI濾波；
- 因ESD和浪涌事件造成的故障癥狀；
- 接口和應用。

ESD設計工程師指南提供紙質版，更好地了解ESD保護拓撲結構和故障癥狀，以及現代接口的測試和仿真。

查詢進一步信息，請訪問官方網站http://efficiencywins.nexperia.cn/efficient-products/the-power-mosfet-design-engineers-guide.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）