 【產通社,2月26日訊】東芝電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)官網消息,其面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---MG800FXF2YMS3,主要應用包括用于軌道車輛的逆變器和轉換器、可再生能源發電系統、工業電機控制設備。 產品特點 為達到175°C的通道溫度,該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。MG800FXF2YMS3特性: -漏源額定電壓:VDSS=3300V -漏極額定電流:ID=800A雙通道 -寬通道溫度范圍:Tch=175°C -低損耗:Eon=250mJ(典型值),Eoff=240mJ(典型值),VDS(on)sense=1.6V(典型值) -低雜散電感:Ls=12nH(典型值) -高功率密度的小型iXPLV封裝 供貨與報價 該產品將于2021年5月投入量產。查詢進一步信息,請訪問官方網站 http://toshiba-semicon-storage.com/cn/top.html。(張怡,產通發布) (完)
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