X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，進(jìn)一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實(shí)現(xiàn)從外殼頂部高效散熱。這一設(shè)計(jì)有效降低了通過(guò)PCB散熱所帶來(lái)的負(fù)面影響。同時(shí)，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動(dòng)化電路板封裝流程。
新款X.PAK封裝器件具備N(xiāo)experia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質(zhì)因數(shù)（FoM）。其中，RDS（on）作為關(guān)鍵參數(shù)，對(duì)導(dǎo)通損耗影響顯著。然而，許多制造商往往僅關(guān)注該參數(shù)（常溫）的標(biāo)稱(chēng)值，卻忽略了一個(gè)事實(shí)，即隨著器件工作溫度的升高，標(biāo)稱(chēng)值可能會(huì)增加100%以上，從而造成相當(dāng)大的導(dǎo)通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現(xiàn)出出色的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi)，RDS（on）的標(biāo)稱(chēng)值僅增加38%。
