【產通社，4月3日訊】深圳平湖實驗室官網消息，SiC是第三代半導體材料，在低功耗、小型化、高壓、高頻的應用場景有極大優勢。但SiC由于莫氏硬度高達9.5，是很難加工的材料，傳統襯底工藝用到的多線切割工藝單片襯底材料損失和切割時間如下：
6 inch SiC晶錠：切割時間約130h，單片材料損失約280～300 μm；
8 inch SiC 晶錠：切割時間約180h，單片材料損失約280～300 μm；

由此計算，1顆SiC晶錠，厚度為20 mm，單片損失按照300μm，理論產出晶片30片，單片材料損耗率達到46%。

為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術研究部開發激光剝離工藝來替代傳統的多線切割工藝，使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產品單片材料損耗≤120μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。

激光剝離技術在提高生產效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產業化進程有著重要意義。不僅為SiC襯底產業帶來了輕資產、高效益的新模式，也為其他硬質材料的加工提供了新的思路和方法，推動材料科學、激光技術等相關領域的進步與發展。查詢進一步信息，請訪問官方網站http://www.szphl.cn/148.html。（Robin Zhang，產通數造）    （完）