【產(chǎn)通社，6月23日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，在2nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)三維集成電路晶體管制造中，內(nèi)側(cè)墻、溝道釋放、介質(zhì)隔離等關(guān)鍵環(huán)節(jié)亟需突破高精度刻蝕工藝，以實(shí)現(xiàn)尺寸微縮和器件效能提升。當(dāng)特征尺寸進(jìn)入納米尺度時(shí)，刻蝕反應(yīng)截面呈現(xiàn)顯著的尺寸效應(yīng)，反應(yīng)截面和缺陷等微觀物理現(xiàn)象難以通過傳統(tǒng)表征手段獲取，現(xiàn)有刻蝕模型雖能預(yù)測宏觀形貌演變，但在納米尺度存在根本性局限。如何結(jié)合前沿人工智能技術(shù)，實(shí)現(xiàn)從原子級(jí)精度模擬刻蝕動(dòng)力學(xué)過程，理解其微觀結(jié)構(gòu)演變過程，進(jìn)而預(yù)測并優(yōu)化宏觀工藝參數(shù)以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)器件性能，是人工智能賦能集成電路先進(jìn)制造的關(guān)鍵科學(xué)問題。
相關(guān)成果以“First large-scale (68×25×5 nm3) atomistic modeling for accurate and efficient etching process based on machine learning molecular dynamics (MLMD)”為題在第70屆國際電子器件大會(huì)（IEDM 2024）上進(jìn)行了口頭報(bào)告。中國科學(xué)院微電子研究所EDA中心馮澤萌助理工程師、博士研究生呼子義、余童助理工程師為共同第一作者，微電子所EDA中心陳睿研究員、先導(dǎo)中心李俊杰正高級(jí)工程師為共同通訊作者。研究工作得到了中國科學(xué)院戰(zhàn)略性A類先導(dǎo)專項(xiàng)、國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院國際伙伴計(jì)劃等項(xiàng)目支持。
