（2006年6月5日，美國加州）半導體解決方案的全球領導商Atmel Corporation宣布面向集成電路代工客戶推出具有雙層多晶硅高密度EEPROM的AT35700高壓處理技術。該0.35微米技術擁有能在17伏和40伏時運行的LDMOS晶體管，并具有一個5伏低泄漏CMOS磁心。
    該低泄漏CMOS是為實現亞閾值漏電最小化而設計的，使其成為便攜式電子設備的理想技術。獨立NMOS和LDMOS晶體管被包括在內，以便實現了電路噪音的最小化。眾多精選的片上模擬電阻器和電容器也包括在內以減少片外零件的需求。該技術支持焊墊(bond pad)下的ESD和I/O晶體管放置實現了沖模尺寸最小化。
    包括在內的還有Atmel可靠的雙層多晶硅高密度存儲單元。該單元可用于創建平行、串行或準閃存記憶設計。內置的EEPROM帶來了監控和控制應用所需的大容量數據存儲能力，且無需額外的存儲芯片。
    該高電壓的處理技術適用于混合信號、功率管理、發動機和運動控制，以及汽車監控和控制應用。隨著設計解決方案根據Atmel行業標準和AVR微控制器系列的改進，這些應用可被顯著拓展。
    多項目晶圓（Multi Project Wafer，簡稱MPW）—— Atmel提供常見的多項目晶圓布局。這為客戶調試工具和定型設備提供了一個經濟的方式，因為他們無需購買整套的掩模組。多個客戶共用同一個標線片和晶圓布局，從而降低了進入的費用。MPW布局的價格取決于沖模大小。
    設計工具箱——Atmel提供資源豐富的成熟工具庫，在Cadence Design Environment內支持準確的混合信號模擬。
    Atmel的35700 0.35微米高壓CMOS工藝現已上市。Atmel的35700高電壓CMOS代工工藝的信息可在http://www.atmel.com/products上查到。    （完）