意法半導體公司和海力士半導體（Hynix）10月10日為在江蘇省無錫市合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行了正式的開業典禮。中國地方及國家領導參加了開業典禮。
    這個技術先進的新工廠將負責制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片，該合資公司是海力士與意法半導體成功合作的結晶。合資雙方將獲得規模經濟帶來的巨大的經濟效益，將能提前進入飛速增長的中國市場，在制造工藝和產品開發上實現優勢互補。無錫晶圓制造廠將加快意法半導體在NAND閃存市場的前進步伐，同時還將為嵌入式系統廠商提供能夠與閃存疊裝在一起的高性能的具有成本競爭力的DRAM芯片。新工廠將有助于擴大海力士的12英寸生產線的產能，加強其在全球增長速度最快的中國半導體市場上的領先地位。海力士DRAM目前在中國的銷售量居第一位，據最新的iSupply資料顯示，市場份額約為47%。無錫工廠竣工后，海力士又增加了一個全球制造基地，該公司在美國俄勒岡尤金市還有一家全球制造基地。
    兩家公司于2005年4月為新工廠舉行了奠基儀式，工廠占地面積550,000平方米，無塵潔凈室達到20,000平方米，8英寸和12英寸生產線分別于2006年7月和10月開始量產。目前DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工藝，90nm和110nm晶圓在8英寸生產線上生產，80nm晶圓在12英寸生產線上生產。明年年中，兩條生產線除生產現有的DRAM外，還將開始生產工藝先進的NAND閃存。在產能方面，8英寸生產線預計月產晶圓50,000片，12英寸生產線的月產量將達到18,000片晶圓。雙方將根據市場情況分配產品和存儲器密度。
    這個合資廠的總投資額為20億美元，意法半導體與海力士半導體的股份比例1/3：2/3，中國本地金融機構和意法半導體還為合資公司提供了聯貸計劃。合資公司雇用大約2000名員工，絕大多數人來自本地勞動力。從新工廠到上海是兩個小時的路程，工廠附近有大量的技術熟練的勞動力，高度發達的配套基礎設施，以及巨大的擴展空間。
    “在韓國與歐洲公司的同類合資公司中，這個大型合資企業可能是最大的，” 意法半導體總裁兼首席執行官Carlo Bozotti表示，“新的合資廠將會給雙方帶來巨大的規模經濟效益，實現雙方在技術上優勢互補。獲得具有成本競爭力的DRAM產品，同時合作開發NAND產品，將進一步加強ST在封裝級集成市場的領先地位。這項重要技術是在同一個封裝內疊裝多個存儲器芯片，中國乃至全世界的用戶利用這項技術可以提高存儲器密度和設備可靠性，同時還能節省手機等消費電子以及工業應用的電路板空間。”
    “新的無錫工廠將是中國最大的晶圓生產廠，它進一步加強了ST在全球增長最快的半導體市場中的強有力的市場地位，”意法半導體公司副總裁及大中國區總經理柯明遠先生評價道，“這個項目非常適合我們所作出的對中國市場的承諾，即開發適合中國本地需求的技術、產品，并幫助提高本地人員的技術能力，改善本地基礎設施的技術水準，從而開發出成本低、品質高的存儲器產品，以滿足迅速膨脹的無線通信和消費電子的市場需求。”
    “手機、數碼相機以及隨身聽等便攜設備對存儲容量的需求越來越高，在這種發展趨勢的拉動下，2005年NAND閃存市場的增長速度達到半導體市場有史以來的最高水平，”意法半導體公司副總裁兼存儲器產品部總經理Mario Licciardello表示，“12寸晶圓生產線從60nm SLC（單級單元）和MLC（多級單元）NAND技術快速向55nm以下節點過渡 ，將有助于我們滿足市場增長，滿足手機及數字消費市場用戶對高性能和成本低廉的存儲器解決方案的需求。”
    “如果不與ST合作，沒有無錫市政府的支持，我們不可能建成無錫工廠。通過合資公司，海力士相信與ST和無錫市的合作關系將會得到進一步加強，新工廠有利于兩家公司各自的長遠發展。”海力士半導體公司董事長兼首席執行官禹義濟表示，“我期望無錫工廠將成為海力士建立國際存儲器公司的立足點。”
    “隨著無錫工廠的竣工落成，海力士建成了一個連接韓國、美國、中國的全球制造網絡，”海力士半導體公司負責戰略企劃的高級副總裁兼海力士意法半導體合資公司董事長的權五哲表示，“合資公司將是海力士維持長遠競爭力的基石。”
    市場調研公司iSuppli預計今年DRAM市場的增幅將達到24.4%，營業收入將達到309億美元，2006年NAND市場增幅將會達到17%，營業收入將達到126億美元。中國是世界增長最快的半導體市場，目前中國市場占全球市場約15%。據市場調研機構的預測，中國在2008年前將會成為世界最大的半導體市場，市場份額占全球半導體市場的四分之一以上。    （完）