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【產通社，9月29日訊】北京賽微電子股份有限公司（Sai MicroElectronics Inc.；股票代碼：300456）官網消息，第23屆中國集成電路制造年會暨2020年廣東集成電路產業發展論壇9月17日在廣州召開，董事長兼總經理楊云春、子公司瑞典Silex董事聶鐵輪、子公司聚能晶源&聚能創芯總經理袁理應邀參加了此次會議。

瑞典Silex董事聶鐵輪：MEMS市場已延伸為微器件加工中心

瑞典Silex董事聶鐵輪講述了賽微電子及其旗下子公司賽萊克斯國際、賽萊克斯北京等公司的發展歷程及業務優勢。在他看來，MEMS市場已經從早期的傳感器器件延伸為微米級的微器件加工中心，終端用戶直接需求向“高端定制研發、小批量、多品種”轉變，同時隨著跨界新行業需求成為主流，產品開發和工藝一體化的服務需求逐漸成為主流，在此背景下，賽萊克斯擁有的多種先進加工工藝及400多種傳感器的研發經驗，為其吸引客戶、開拓市場提供了強有力的保證。

目前賽萊克斯北京正在國內建設一條8英寸MEMS國際代工線，該產線代表了MEMS領域的先進水平與規模產能，建成投產后將為全球MEMS產品客戶的研發和量產提供成熟的技術支持和產能保障。如今，中國集成電路產業進入高速成長期，依托公司的技術、團隊優勢，賽微電子的MEMS業務必將迎來新一輪的快速發展。

聚能晶源&聚能創芯總經理袁理：GaN功率器件優勢

聚能晶源&聚能創芯總經理袁理以“基于GaN材料與器件技術，打造國產化新型功率器件供應鏈”為題，分享了GaN功率器件的優勢及公司在GaN材料與器件研發方面做出努力及成績。

作為第三代半導體，GaN器件得益于材料優勢，在速度、效率、耐高溫、抗輻照等方面均優于傳統硅器件，在功率領域具有廣泛的應用前景。在此背景下，賽微電子著手布局了聚能晶源與聚能創芯項目，開展GaN材料與器件的產業化工作。聚能晶源先后攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應力控制、高耐壓GaN外延生長等技術難關，于2018年底成功研發出具備全球領先水平的8英寸硅基GaN外延晶圓，該晶圓具有高耐壓、耐高溫、低漏電、低成本等優點。2020年4月，聚能創芯成功開發650V系列GaN功率器件產品，并發布基于該系列GaN功率器件的PD快充應用示例，為目前需求旺盛的GaN快充領域提供了高性能、高性價比的全國產技術解決方案。

基于兩項目實施，賽微電子可實現GaN材料、器件與應用的國產化供應，為5G通訊、智能終端、大數據自動駕駛等領域提供新型功率器件產品和應用開發服務。

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http://www.smeiic.com/news/257.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）（完）