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      鐳射二極管
      日期:2005/8/20 17:45:52   作者:Linwee 365PR

      鐳射二極管(Laser Diode, LD)具有輕、薄、短、小、高壽命、耐震、方向性佳及輸出功率高等特性,適合供作長(zhǎng)距離、大容量之通信用光源及存取高密度記錄媒體,已大量應(yīng)用于光通訊與光儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)上,LD之發(fā)展頗被看好。目前,LD產(chǎn)業(yè)已為全球繼電子產(chǎn)業(yè)后另一備受注目之新興產(chǎn)業(yè),未來(lái)全球產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)將日趨激烈。

      1.鐳射(Laser)簡(jiǎn)介

      鐳射英文名稱(chēng)為L(zhǎng)aser,是Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation的第一個(gè)字母縮寫(xiě),它的意思系藉由受激發(fā)產(chǎn)生之輻射來(lái)進(jìn)行光放大的作用,為一產(chǎn)生電磁輻射的裝置,具有相當(dāng)高的輻射能。

      鐳射的波長(zhǎng)范圍涵蓋紫外線(xiàn)、可見(jiàn)光至紅外線(xiàn),大約是從200~30000nm,其中380~760nm為可見(jiàn)光之波長(zhǎng)范圍。由于鐳射光具有自然光或其他一般光源所沒(méi)有之特殊性質(zhì),使其在某些應(yīng)用上特別重要,且鐳射光可藉不同之介質(zhì)、激發(fā)方式,產(chǎn)生許多不同功率、不同波長(zhǎng)的光束,至今已普遍應(yīng)用于醫(yī)學(xué)、通訊、資訊儲(chǔ)存、鐳射加工、精密量測(cè)等領(lǐng)域中。

      鐳射光與自然光或其他光源產(chǎn)生的光相較,其主要特色有:
      ·鐳射光為單色光,其頻率寬度很窄。
      ·鐳射光線(xiàn)為平行光線(xiàn),其指向性很高,經(jīng)過(guò)長(zhǎng)距離后,仍能維持細(xì)小光束而不散開(kāi)。
      ·鐳射光之集光性佳,能量密度較高。
      ·鐳射光為一正弦波形之振蕩性光波,其頻率及相位皆整齊,與自然光的雜亂有別。
      ·鐳射光的相干涉性高,不論在時(shí)間及空間的相干性表現(xiàn)皆良好。
      ·鐳射光之能量可在短時(shí)間(脈波間隔10-12秒內(nèi))內(nèi)集中。

      目前許多物質(zhì),如晶體、玻璃、半導(dǎo)體、分子氣體、原子氣體、離子氣體及染料等,均可激發(fā)出鐳射光。依激發(fā)介質(zhì)分類(lèi),一般可分為半導(dǎo)體鐳射及非半導(dǎo)體鐳射兩類(lèi),半導(dǎo)體鐳射即鐳射二極管(Laser Diode, LD);非半導(dǎo)體鐳射則包括氣體鐳射(如CO2、He-Ne等)、固體鐳射(如石榴石YAG)、染料鐳射等。

      2.鐳射二極管分類(lèi)

      鐳射二極管(Laser Diode, LD)依波長(zhǎng)及應(yīng)用大致分為短波長(zhǎng)LD與長(zhǎng)波長(zhǎng)LD兩大類(lèi),短波長(zhǎng)LD之波長(zhǎng)范圍約90nm~950nm,主要使用于光儲(chǔ)存、光輸出、指示器及顯示應(yīng)用;而長(zhǎng)波長(zhǎng)LD之波長(zhǎng)范圍約980nm~1550 nm,主要用于光纖通訊。

      依發(fā)光源位置分類(lèi),LD產(chǎn)品可分為邊射型鐳射(Edge Emitting Laser, EEL),如Fabry-Perot(F-P)鐳射、分散回饋鐳射(Distributed Feedback Laser, DFB)等;及垂直共振腔面射型(Vertical Cavity Surface Emitting Laser Diode, VCSEL)兩大類(lèi)。EEL光源是由晶粒側(cè)面發(fā)出,為橢圓型光束,目前長(zhǎng)距離通訊及儲(chǔ)存產(chǎn)品多以EEL為主;而VCSEL發(fā)光源則是由晶粒表面發(fā)出,為圓形光束,近來(lái)發(fā)展迅速,目前短波長(zhǎng)850nm VCSEL產(chǎn)品已經(jīng)商品化,并應(yīng)用于短距離資料傳輸上,而長(zhǎng)波長(zhǎng)之1310nm、1550nm、1600nm VCSEL則持續(xù)發(fā)展中。

      其中,F(xiàn)abry-Perot(F-P)鐳射是利用二極管工作帶(Active Layer)的兩側(cè),限制光訊號(hào)只能在工作帶內(nèi)部共振,并產(chǎn)生多種波長(zhǎng),波長(zhǎng)的分布是以中心共振最強(qiáng),其余的波長(zhǎng)則漸弱地分布于中心波長(zhǎng)兩側(cè)。由于此種鐳射屬于多模態(tài)(波長(zhǎng))的鐳射光,在光纖中傳輸會(huì)有色散效應(yīng),限制了傳輸?shù)乃俾始熬嚯x,因此只適用于短距離的低速傳輸(如用戶(hù)回路的FTTC,F(xiàn)iber-To-The-Curb)。不過(guò)由于F-P鐳射構(gòu)造較簡(jiǎn)單、制程成本較低,目前為最廣泛應(yīng)用的一種發(fā)送器。分散回饋型鐳射(DFB)克服了F-P鐳射的缺失與限制,是在工作帶下利用加裝布拉格光柵(Bragg Grating)來(lái)選擇特定的波長(zhǎng)產(chǎn)生回饋,以控制鐳射共振腔只允許單一波長(zhǎng)產(chǎn)生共振,使其無(wú)色散現(xiàn)象。DFB因具有極佳的光電特性,適用于長(zhǎng)途(>100公里)、高速(>Gbps)通訊傳輸之處。

      垂直共振腔面射型鐳射(VCSEL)與其他鐳射二極管最大的不同是共振腔為垂直而非水平,使得光源由腔底反射,造成光源是從頂端射出。由于產(chǎn)品內(nèi)部也設(shè)有布拉格光柵(Bragg Grating),可控制輸出波長(zhǎng)的頻譜寬度,故其與DFB同樣較無(wú)色散之現(xiàn)象。此外,VCSEL與EEL產(chǎn)品相較,因具有低臨界電流、單模式操作、低光束分歧及可有效耦合單模態(tài)光纖、制程較容易且壽命較長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),因此被視為未來(lái)甚具發(fā)展?jié)摿χa(chǎn)品,目前亦已吸引眾多廠(chǎng)商投入,如HP(即Agilent)、Honeywell、AMP等已經(jīng)推出采用850nm VCSEL設(shè)計(jì)的光纖收發(fā)器。國(guó)際VCSEL晶片之提供者包含:Honeywell、EPI、Infineon等;用VCSEL設(shè)計(jì)的光收發(fā)模組之廠(chǎng)家則有Agilent、AMP、Honeywell等。目前由于VCSEL多為850nm及980nm波長(zhǎng)產(chǎn)品,僅適用在短范圍的光纖傳輸,未來(lái)如開(kāi)發(fā)1300nm以上之長(zhǎng)波長(zhǎng)產(chǎn)品,傳輸距離變長(zhǎng),市場(chǎng)范圍則將變大。

      3.鐳射二極管應(yīng)用

      (1)光通訊用LD:光收發(fā)模組

      光收發(fā)模組基本上系由發(fā)光源(LD或LED)、受光檢光器(PIN/APD二極管)、驅(qū)動(dòng)電路、放大電路、連接器及外殼等元件所組成。由于采用LD為發(fā)光源,故具有輸出功率較高、速度快、發(fā)光度集中等優(yōu)點(diǎn),可配合單膜態(tài)光纖用在長(zhǎng)途通信上。而在檢光器部分,PIN二極管的成本低廉,靈敏度高、反應(yīng)迅速,短波長(zhǎng)的PIN多用Silicon為材料;長(zhǎng)波長(zhǎng)通訊或高頻操作時(shí),則多用砷化銦鎵(InGaAs)或砷化鎵(GaAs)為材料。

      光收發(fā)模組的分類(lèi)可依傳輸速率或功率的大小及接收靈敏度的高低來(lái)區(qū)分,依傳輸速率之分類(lèi)而言,目前1.25Gbps規(guī)格的光收發(fā)模組為市場(chǎng)之主流,售價(jià)約在100多美元左右(另有低速的155Mbps及高速的10Gbps)。而后者之分類(lèi),則多為系統(tǒng)廠(chǎng)商依據(jù)其產(chǎn)品所訂,目前這部分尚無(wú)統(tǒng)一之規(guī)格。

      全球知名的光收發(fā)模組廠(chǎng)商有HP、Lucent、Infineon等。另外,為配合光纖到桌及光纖區(qū)域網(wǎng)路的發(fā)展趨勢(shì),市場(chǎng)上也出現(xiàn)Small Form Factor(SFF)的光收發(fā)模組,較有名的有Lucent的LC、3M陣營(yíng)的VF45(3M、Infineon等發(fā)起)、AMP陣營(yíng)的MT -RJ(HP、AMP等發(fā)起)。

      (2)光儲(chǔ)存用LD:光碟機(jī)讀寫(xiě)頭

      光碟機(jī)讀寫(xiě)頭主要元件包括:發(fā)光源(LD)、光檢測(cè)晶片(PDIC, Photo Detector Integrated Circuit)、物鏡(Objective Lens),準(zhǔn)直鏡(Collimator Lens)、致動(dòng)器(Actuator)及其他光學(xué)元件等。目前光碟機(jī)讀取頭所用之LD光源波長(zhǎng)有780nm LD及短波長(zhǎng)(650 nm/635nm)紅光LD兩類(lèi),其中前者多用于CD家族產(chǎn)品,后者則用于DVD系列。目前業(yè)界正在開(kāi)發(fā)短波長(zhǎng)藍(lán)光LD,以?xún)?chǔ)存更高容量之藍(lán)光DVD光碟片。

      4、產(chǎn)業(yè)展望

      受Telecommunication及Data Communication等市場(chǎng)發(fā)展,全球鐳射市場(chǎng)(產(chǎn)品包含Laser Diode與Nondiode Laser)成長(zhǎng)迅速,LD占整體鐳射市場(chǎng)之比重已有逐年提高之趨勢(shì),顯示LD已成為全球鐳射市場(chǎng)之重要產(chǎn)品項(xiàng)目。

      按照WSTS之市場(chǎng)預(yù)測(cè)資料,全球LD市場(chǎng)預(yù)期至2004年始可回升至2000年之水準(zhǔn),達(dá)到32.54億美元。而另一研究機(jī)構(gòu)日本富士總研對(duì)于全球LD市場(chǎng)規(guī)模之預(yù)估部分,它認(rèn)為光通訊用LD市場(chǎng)回溫速度較慢,預(yù)期至2006年時(shí),始能回復(fù)到2000年的規(guī)模水準(zhǔn);而光儲(chǔ)存用LD則預(yù)期于2003年時(shí)可回復(fù)至2000年的規(guī)模水準(zhǔn)。預(yù)期將至2006年時(shí),光通訊LD市場(chǎng)規(guī)模值始能回升至2000年的水準(zhǔn),來(lái)到25.56億美元。預(yù)估通訊用LD市場(chǎng)未來(lái)若要有大幅度躍升,則需視新應(yīng)用領(lǐng)域之拓展情形而定。

      其中,光儲(chǔ)存用LD系屬消費(fèi)性質(zhì)之市場(chǎng),主要系使用鐳射光源作為儲(chǔ)存資料之媒介物質(zhì)(即光學(xué)讀寫(xiě)頭),以應(yīng)用于各式CD-Type drivers、DVD-Type drivers等光碟機(jī)產(chǎn)品。2002年雖受全球不景氣影響,光儲(chǔ)存用LD市場(chǎng)值一度衰退20%,成為6.75億美元,但由于在新的應(yīng)用產(chǎn)品如DVD Video及DVD ROM/RAM等市場(chǎng)日漸成熟的帶動(dòng)下,光儲(chǔ)存用LD需求規(guī)模日增,未來(lái)全球光儲(chǔ)存用LD市場(chǎng)將呈穩(wěn)定成長(zhǎng),2003年時(shí)市場(chǎng)規(guī)模回升至8.89億美元,2006年時(shí)市場(chǎng)規(guī)模則將可望達(dá)到11.69億美元。

      光通訊用LD以美、日之技術(shù)發(fā)展最為領(lǐng)先,自元件至系統(tǒng)相當(dāng)完整,而市場(chǎng)則為大廠(chǎng)壟斷,如JDS Uniphase、NEC、Alcatel等。而Pump Laser部分,美國(guó)SDL在1480nm LD之市占率最大;而980nm LD市場(chǎng)則以日本古河及住友之市占率最高。

      光儲(chǔ)存用市場(chǎng)目前光儲(chǔ)存用LD(包括650nm、780nm等產(chǎn)品)之技術(shù)幾為日本廠(chǎng)商所掌握,主要領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商有SONY、SANYO、ROHM、SHARP、Toshiba等。至于新世代藍(lán)光LD產(chǎn)品,可將記錄容量自目前約4.7GB提升至15~30GB,其主要技術(shù)亦掌握在日本廠(chǎng)商手中。

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