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      功率GaN:高效功率轉(zhuǎn)換的需求
      日期:2020/7/31 15:28:58   作者:
      隨著社會壓力不斷增大,越來越多的立法要求減少二氧化碳的排放。這一趨勢推動汽車、電信等行業(yè)加大投資,以提高電源轉(zhuǎn)換效率和電氣化水平。功率氮化鎵(GaN)技術(shù)不但表現(xiàn)出極大的性能優(yōu)勢,還能為各類功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來一系列優(yōu)勢,尤其是在電動汽車中。

      汽車行業(yè)的電氣化可能是功率GaN技術(shù)的最大受益者。xEV的功率損耗會影響續(xù)航里程,而這正是電動汽車的關(guān)鍵問題。因此高效的功率轉(zhuǎn)換對于全電動汽車(xEV)的成功至關(guān)重要。此外,更加高效的功率轉(zhuǎn)換減少了使用昂貴冷卻系統(tǒng)進行散熱的需求,降低了車輛的重量和系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而潛在地增加續(xù)航里程。除了這些方面,提高功率轉(zhuǎn)換效率還可以為汽車的許多其他系統(tǒng)帶來好處,包括:
      - AC/DC車載充電
      - DC/DC功率轉(zhuǎn)換
      - DC/AC逆變器以驅(qū)動牽引電動機
       
      例如,將200kW逆變器的效率從95%提高到99%,就可以將滿負(fù)載下的功率損耗從10kW降低到2kW,僅為原來的五分之一。這樣一來,不但損耗可以減少8kW(由此提高有用的牽引功率),而且降低昂貴冷卻系統(tǒng)的需求,還可以減少冷卻能量消耗以及冷卻系統(tǒng)的尺寸和重量。這就能實現(xiàn)更長的行駛里程,或是使用更小的電池達到相同的里程。
       
      功率GaN FET克服了現(xiàn)有技術(shù)的許多限制,例如基于Si的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和Si超結(jié)(SJ)解決方案。功率GaN解決方案沒有反向恢復(fù)損耗,并可實現(xiàn)非常低的開關(guān)損耗和更低的導(dǎo)通損耗。它們還可在高電壓下提供低導(dǎo)通電阻(Rdson),具有出色的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)。
       
      無論是AC/DC PFC級、DC/DC轉(zhuǎn)換器還是牽引逆變器,大多數(shù)拓?fù)涞幕緲?gòu)建模塊都是半橋。因此,當(dāng)在簡單的升壓轉(zhuǎn)換器中將GaN FET與Si FET進行比較時,GaN FET表現(xiàn)出了出色的性能。
       
      下載Nexperia白皮書《功率GaN:高效功率轉(zhuǎn)換的需求》中,請訪問http://assets.nexperia.cn/document./white-paper/nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion.pdf。(Lisa WU, 365PR Newswire)
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