全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)，12月19日推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，適用于36V至75V通用電信輸入及48V固定輸入系統等多種運行環境的隔離式DC-DC轉換器。新型DirectFET器件采用IR先進的DirectFET封裝技術及新一代HEXFET功率MOSFET硅，額定電流可達35A，其散熱表現更加卓越且效率更高，而占板面積則只相當于扁平型SO-8封裝。
　　IR亞太區高級銷售總監曾海邦表示：“IR DirectFET系列的最新器件通過持續改善影響功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的關鍵參數，將傳導、開關及反向恢復損耗降至最低。這些改進不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時也保持了單個MOSFET的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現在一個DirectFET MOSFET可以替代兩個或三個SO-8封裝器件。”
　　該器件的典型10V RDS(on)非常低，只有29mΩ。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作為隔離式或中間DC總線轉換器的原邊MOSFET。
    IRF6643TRPbF采用中級尺寸(MZ) DirectFET封裝，目前已開始供貨。有關新器件的詳細數據，詳見http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。    （完）