由于智能手機(jī)的操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件的規(guī)模不斷增加，存儲(chǔ)在手機(jī)中的數(shù)據(jù)量也不斷增大，NAND閃存陣列較低的總成本變得越來越引人注目。各種數(shù)據(jù)顯示，到2006年，智能手機(jī)對NAND芯片的需求量將超過主要用于程序代碼存儲(chǔ)的NOR閃存市場，向著NAND+Mobile SDRAM的方向發(fā)展。

NOR和NAND走向融合

NOR和NAND在技術(shù)上各有優(yōu)勢，也都各有不足。能否將這兩種技術(shù)的優(yōu)勢相結(jié)合，推出存取速度、容量和成本方面都具有優(yōu)勢的產(chǎn)品？事實(shí)上，無論是NOR閃存市場的老大Spansion公司，還是NAND閃存的頭把交椅三星電子都已經(jīng)在這樣做，并且是基于各自的看家技術(shù)。

Spansion的戰(zhàn)略是創(chuàng)建一個(gè)超越傳統(tǒng)內(nèi)存和存儲(chǔ)界限的全新ORNAND架構(gòu)，這使得客戶有機(jī)會(huì)大幅提高下一代數(shù)字設(shè)備的功能。ORNAND閃存架構(gòu)是將NOR 和NAND各自的優(yōu)勢集成在同一個(gè)基于MirrorBit技術(shù)的產(chǎn)品中。MirrorBit是一種基于NOR的技術(shù)，能夠在一個(gè)閃存單元中存儲(chǔ)兩個(gè)或者更多位的數(shù)據(jù)。Spansion公司高級副總裁兼無線產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Amir Mashkoori說，將NOR的代碼執(zhí)行能力和NAND的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力有機(jī)的結(jié)合、優(yōu)勢互補(bǔ)開發(fā)的新型ORNAND閃存可以滿足整個(gè)閃存市場的需求。Spansion的第一批新型ORNAND產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2005年面世，它的突發(fā)脈沖式(Burst)寫入速度將比現(xiàn)有的NAND產(chǎn)品高4倍。

與Spansion不謀而合的是，三星也推出了用于手機(jī)的90nm工藝1Gbit OneNAND閃存，該閃存在NAND的基礎(chǔ)上融入了NOR閃存的特性。OneNAND是一種面向手機(jī)統(tǒng)一存儲(chǔ)的專用內(nèi)存。它兼具NOR閃存的高速數(shù)據(jù)讀出功能和NAND閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度。三星表示，這種單芯片基于NAND架構(gòu)，具有集成式緩存和邏輯接口，可以保持高達(dá)108MB/s的數(shù)據(jù)傳輸速度。OneNAND具有一個(gè)66MHz的同步接口和高速緩存讀出功能，增強(qiáng)了在高達(dá)108MB/s傳輸速度下的讀出性能，據(jù)稱其讀出速度是普通NAND內(nèi)存的四倍。
 
三星一直試圖借助其在DRAM和閃存市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，在專用內(nèi)存領(lǐng)域建立事實(shí)性標(biāo)準(zhǔn)。三星的OneNAND閃存于2003年推出，已被10余家公司所采用。它的應(yīng)用領(lǐng)域包括手機(jī)、PDA、DSC、DTV、游戲機(jī)和導(dǎo)航系統(tǒng)。

PSRAM

iSuppli預(yù)測，到2005年P(guān)SRAM將成為在手機(jī)市場占主導(dǎo)地位的內(nèi)存類型。面對PSRAM技術(shù)背后巨大的商機(jī)，全球內(nèi)存廠商各自結(jié)盟，現(xiàn)在已形成歐美、日本、韓國三大陣營競爭的態(tài)勢：包括賽普拉斯、英飛凌、美光和瑞薩科技組成的CellularRAM聯(lián)盟；由東芝、NEC、富士通等日系廠商組成的COSMORAM聯(lián)盟；以及韓國兩大內(nèi)存廠三星及Hynix組成的UtRAM聯(lián)盟。

CellularRAM聯(lián)盟最初由英飛凌和美光組成，賽普拉斯于2002年9月加入，而瑞薩于2004年年初加入。CellularRAM有異步和同步兩種可供選擇，在讀寫操作中支持NOR閃存兼容的頁面模式和全同步突發(fā)模式，可使峰值帶寬高達(dá)每秒208MB或每秒1.5GB。CellularRAM 器件集成了多種低功耗功能并具有落入式兼容性，從而與異步低功耗SRAM具有相同的電壓范圍、封裝及球柵分配。這種可兼容的架構(gòu)使設(shè)計(jì)人員能夠從SRAM順利過渡到CellularRAM產(chǎn)品。據(jù)瑞薩介紹，目前16Mbit、32Mbit、64Mbit和128Mbit的產(chǎn)品都已經(jīng)面世，并且瑞薩正在計(jì)劃開發(fā)256Mbit的CellularRAM。

與CellularRAM競爭的聯(lián)盟COSMORAM（Co-mmon Specifications for Mobile RAM，移動(dòng)RAM通用規(guī)范）是2003年2月出現(xiàn)的，它由東芝、NEC和富士通組成。Integrated Silicon Solution公司也追捧符合COSMORAM規(guī)范的PSRAM。東芝、NEC和富士通的合作關(guān)系始于1998年末在“閃存 + SRAM”多芯片架構(gòu)領(lǐng)域的合作，COSMORAM是這種多階段合作的最新產(chǎn)物。遺憾的是，COSMORAM在引腳分配及其它方面與CellularRAM不兼容。目前，東芝已投下賭注，推動(dòng)256Mbit的COSMORAM，并已開發(fā)出128Mbit的產(chǎn)品，可以采用0.175微米工藝生產(chǎn)。

而三星和Hynix所開發(fā)的UtRAM技術(shù)，采用由單一晶體管與電容所組成的低耗能儲(chǔ)存單元，完全與標(biāo)準(zhǔn)SRAM兼容，目前樣品已出貨給客戶。三星日前開發(fā)出的八裸片多芯片封裝中，即采用了一片128Mb UtRAM和一片64Mb UtRAM。

更高的集成度的MCP和SIP

隨著手機(jī)向高端發(fā)展，分離架構(gòu)將逐漸被淘汰，越來越多的廠商會(huì)采用將SRAM和閃存集成在一起的MCP器件。MCP是在一個(gè)塑料封裝內(nèi)縱向堆迭大小不同的各類存儲(chǔ)器和非存儲(chǔ)器元器件的單封裝混合技術(shù)，由于它比分離器件具有更小的體積和功耗，備受手機(jī)制造商的青睞。

目前MCP器件主要有NOR+PSRAM、NAND+LP-SDRAM或NOR+NAND+Mobile DRAM等幾種形式。日前三星開發(fā)出了用于高容量移動(dòng)產(chǎn)品的八裸片MCP。該八裸片MCP的尺寸為11mm×14mm×1.4mm，內(nèi)含兩片1Gb NAND閃存、兩片256Mb NOR閃存、兩片256Mb移動(dòng)DRAM、一片128Mb UtRAM和一片64Mb UtRAM。

在MCP的基礎(chǔ)上，一種更高集成度的系統(tǒng)封裝（SIP）也將逐漸應(yīng)用到手機(jī)存儲(chǔ)器中。SIP是指將微處理器或數(shù)字信號處理器和各種存儲(chǔ)器堆迭在一起，可以作為微系統(tǒng)獨(dú)立運(yùn)行的一種新型器件。英特爾著名的PXA27x系列移動(dòng)應(yīng)用處理器即是一種典型的SIP器件，它將Strate Flash、LP-SDRAM與微處理器堆迭封裝在一起，進(jìn)一步節(jié)省了硬件占用空間。同樣，德州儀器（TI）的OMAP733也是在其多媒體應(yīng)用處理器的OMAP730的基礎(chǔ)上添加了128Mb或256Mb堆迭式移動(dòng)DDR SDRAM。