MicroShield整合RF屏蔽技術(shù)由RF Micro Devices公司推出，目前正在申請專利。通過將RF屏蔽技術(shù)直接整合到RFIC或模塊中，MicroShield整合RF屏蔽技術(shù)可消除對體積較大、成本較高的外部防護(hù)層的需求，從而將RF部分的高度和體積要求分別降低25%和50%，并可為客戶提供不受板布置影響的元件。

RF屏蔽技術(shù)降低了與電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)相關(guān)的輻射，并可將對外部磁場的敏感度降至最低。傳統(tǒng)RF屏蔽技術(shù)是使用封裝及保護(hù)電路板RF部分的外部金屬“罐”加以實(shí)施的。但這種實(shí)施成本高且非常耗時(shí)，因?yàn)橛糜赗F屏蔽的這些“罐”必須根據(jù)單個(gè)電路板加以定制。此外，外部RF防護(hù)層還增加了RF區(qū)域的空間要求，更重要的是，它們會(huì)降低基礎(chǔ)RF電路的性能。這種性能降低會(huì)產(chǎn)生應(yīng)對外部防護(hù)層的這些影響所需的非常耗時(shí)的重新調(diào)諧過程。

通過將與外部磁場的接觸降至最少，以及防止能量泄漏到主機(jī)設(shè)備的不必要區(qū)域，MicroShield整合RF屏蔽可降低EMI及RFI的影響。而且，通過消除對板布置的敏感性，MicroShield消除了電路重新調(diào)諧風(fēng)險(xiǎn)，從而可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間以及降低RF實(shí)施成本。

在手機(jī)應(yīng)用中，對板布置的敏感性是一個(gè)關(guān)鍵因素，因?yàn)槭謾C(jī)設(shè)計(jì)者及制造商日益依賴手機(jī)平臺(tái)來滿足他們的時(shí)間及成本要求。由于EMI與RFI輻射通常是導(dǎo)致性能不一致的主要因素，因此在將這些平臺(tái)應(yīng)用到單獨(dú)手機(jī)設(shè)計(jì)中時(shí)會(huì)遇到性能問題。憑借MicroShield，手機(jī)制造商能夠放置高度復(fù)雜的RF模塊，因?yàn)樗鼈儗⑹侨缤皇蹺MI/RFI影響的任何元件，從而提供了對板設(shè)計(jì)與布局更改而言均非常強(qiáng)大可靠的真正“即插即用”解決方案。

MicroShield整合RF屏蔽技術(shù)適用于任何模壓（overmolded）封裝技術(shù)，并且在RFMD的POLARIS 3 TOTAL RADIO解決方案中得到首次應(yīng)用。進(jìn)一步了解MicroShield整合RF屏蔽技術(shù)，請?jiān)L問http://www.rfmd.com。