| 風(fēng)華高科新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室2021年開(kāi)放課題指南 |
| 2021/8/4 11:27:01 |
|
|
|
|
| |
|
|
新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（以下簡(jiǎn)稱“實(shí)驗(yàn)室”）依托于廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“風(fēng)華高科”），主要從事高端新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝所面臨的基礎(chǔ)和共性技術(shù)課題的研究。實(shí)驗(yàn)室設(shè)立開(kāi)放課題基金，資助國(guó)內(nèi)外科技工作者依托實(shí)驗(yàn)室開(kāi)展研究工作。實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題面向國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究領(lǐng)域的大學(xué)、研究所等單位，凡具備申請(qǐng)條件的研究人員均可提出申請(qǐng)。具體規(guī)定請(qǐng)參見(jiàn)實(shí)驗(yàn)室網(wǎng)站發(fā)布的《新型電子元器件關(guān)鍵材料與工藝國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題管理辦法》。
一、實(shí)驗(yàn)室研究方向
實(shí)驗(yàn)室研究方向包括片式元件關(guān)鍵材料與工藝技術(shù)、薄膜電子元器件材料及制備技術(shù)、無(wú)源集成電子元器件及封裝技術(shù)三個(gè)方向。
二、實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題
實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題分為指定開(kāi)放課題和自主命題開(kāi)放課題。其中自主命題開(kāi)放課題為符合實(shí)驗(yàn)室研究方向的由申請(qǐng)人自行確定研究?jī)?nèi)容的課題；指定開(kāi)放課題則由實(shí)驗(yàn)室指定具體的研究開(kāi)發(fā)內(nèi)容及技術(shù)指標(biāo)。具體如下：
（一）自主命題開(kāi)放課題
自主命題開(kāi)放課題需符合實(shí)驗(yàn)室研究方向，本次資助不超過(guò)10項(xiàng)。可參考以下研究?jī)?nèi)容：
1、片式元件內(nèi)電極技術(shù)
2、超微型電子元器件貼裝技術(shù)
3、新型電子元器件制備和集成技術(shù)
（二）指定開(kāi)放課題（序號(hào)、 研究方向、 課題名稱、 課題類別）
1 片式元件關(guān)鍵材料與工藝技術(shù)
粉體分級(jí)技術(shù)研究
應(yīng)用基礎(chǔ)研究
2 薄介質(zhì)X7R特性鈦酸鋇粉體摻雜技術(shù)研究
3 精密流延刀頭設(shè)計(jì)研究
4 圓刀及橫切刀設(shè)計(jì)研究
5 鎢鋼刀設(shè)計(jì)研究
6 薄膜&厚膜電阻帶載高溫高濕失效模式分析
7 影響射頻電阻、衰減器駐波比、衰減量的關(guān)鍵因素研究
8 金屬箔電阻的粘結(jié)劑、端頭材料及工藝研究
9 薄膜高Q型片式電感器關(guān)鍵材料及工藝技術(shù)研究
10 面向靶材制造用復(fù)合多組分熱噴涂粉體的開(kāi)發(fā)
11 端頭Sn鍍層質(zhì)量提升
12 巴塊變形行為研究
現(xiàn)場(chǎng)工藝技術(shù)
13 薄膜電子元器件材料及制備技術(shù)
精密薄膜電阻的激光調(diào)阻工藝開(kāi)發(fā)
應(yīng)用基礎(chǔ)研究
14 無(wú)源集成電子元器件及封裝技術(shù)
低壓壓敏電阻器材料及工藝技術(shù)
應(yīng)用基礎(chǔ)研究
15 銅電極壓敏電阻器材料及工藝技術(shù)
16 低介電常數(shù)微晶玻璃瓷粉開(kāi)發(fā)
17 超微尺寸LTCC元器件結(jié)構(gòu)仿真設(shè)計(jì)
三、指定開(kāi)放課題具體內(nèi)容
（一）粉體分級(jí)技術(shù)研究
1、問(wèn)題描述
目前MLCC常用的鎳粉普遍存在大顆粒的問(wèn)題，對(duì)產(chǎn)品的電性能影響很大。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
研究粉體分級(jí)技術(shù)，去除鎳粉中的大顆粒。
（二）薄介質(zhì)X7R特性鈦酸鋇粉體摻雜技術(shù)研究
1、問(wèn)題描述
薄介質(zhì)MLCC產(chǎn)品粉體材料無(wú)法滿足X7R特性要求，存在TC特性超差的問(wèn)題。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①薄介質(zhì)MLCC粉體的TC特性摻雜機(jī)理研究；
②適用于薄介質(zhì)高容MLCC的介質(zhì)材料開(kāi)發(fā)。
（三）精密流延刀頭設(shè)計(jì)研究
1、問(wèn)題描述
薄介質(zhì)高端MLCC生產(chǎn)需使用高精度流延機(jī)（涂布機(jī)），目前該設(shè)備主要依賴日本和韓國(guó)，國(guó)內(nèi)尚無(wú)成熟的薄介質(zhì)流延設(shè)備。而作為流延機(jī)關(guān)鍵核心部件的流延頭，目前能達(dá)到精度要求的廠家也只有日本的平野和泰克洛。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①流延頭的材料選用問(wèn)題，目前有普通不銹鋼、碳鋼和630合金鋼等；
②流延頭的加工精度問(wèn)題，目前我們沒(méi)有專門(mén)的儀器測(cè)量，未有準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)；
③裝配精度問(wèn)題，要求表面平滑，配合緊密嚴(yán)實(shí)，不會(huì)出現(xiàn)漏料；
④試制效果滿足1-12μm膜厚流延，涂布均勻、分散性好。
（四）圓刀及橫切刀設(shè)計(jì)研究
1、問(wèn)題描述
高端MLCC薄介質(zhì)高容產(chǎn)品，對(duì)巴塊切割刀的技術(shù)要求很高，刀具切割效果不好則容易產(chǎn)生膜碎及膜絲等問(wèn)題，對(duì)內(nèi)電極結(jié)構(gòu)產(chǎn)生較大影響，并直接影響產(chǎn)品性能。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①關(guān)鍵圓刀材料的選型、設(shè)計(jì)角度研究，并解決同心度、平面度的加工精度問(wèn)題；
②滿足1.1-2.9μm介質(zhì)的切割要求，不能產(chǎn)生膜絲與膜碎，壽命高；
③解析進(jìn)口刀具的材料性能及進(jìn)口刀具的精密加工方法；
④陶瓷膜片與圓刀切割磨合驗(yàn)證。
（五）鎢鋼刀設(shè)計(jì)研究
1、問(wèn)題描述
鎢鋼刀的刀刃設(shè)計(jì)、刃口硬度及韌性是高端MLCC高容產(chǎn)品切割的關(guān)鍵，而由于刀刃設(shè)計(jì)等問(wèn)題導(dǎo)致的產(chǎn)品品質(zhì)問(wèn)題研究目前在國(guó)內(nèi)尚屬空白。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①滿足0.4mm以下厚度高容產(chǎn)品端側(cè)面無(wú)切粗、粘片的刀片設(shè)計(jì)及原理研究和滿足1.4mm以上厚度高容產(chǎn)品端側(cè)面無(wú)切粗、切斜，及擠壓分層的刀片設(shè)計(jì)及原理研究；
②解析進(jìn)口刀具的精密加工方法和可復(fù)制性。
（六）薄膜&厚膜電阻帶載高溫高濕失效模式分析
1、問(wèn)題描述
①薄膜電阻產(chǎn)品因其納米級(jí)別的電阻膜層敏感且脆弱，在耐高溫高濕的評(píng)價(jià)試驗(yàn)（85℃/85%RH）中容易出現(xiàn)腐蝕失效。但文獻(xiàn)中關(guān)于在封裝之后的器件在帶載的過(guò)程中出現(xiàn)的失效現(xiàn)象鮮有研究，有必要深入研究其高溫高濕失效機(jī)理。
②厚膜電阻產(chǎn)品因其電阻功能膜層敏感且脆弱，在惡劣的試驗(yàn)環(huán)境下，尤其在耐高溫高濕的評(píng)價(jià)試驗(yàn)（85℃/85%RH）中易出現(xiàn)腐蝕失效情況。但文獻(xiàn)中關(guān)于在封裝之后的器件在帶載的過(guò)程中出現(xiàn)的高溫高濕失效現(xiàn)象鮮有研究，有必要深入研究其高溫高濕失效機(jī)理，建立其失效模型。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①薄膜電阻
a.測(cè)試薄膜電阻雙85試驗(yàn)（85℃/85%RH），直至產(chǎn)品開(kāi)路失效；
b.分析試驗(yàn)開(kāi)路失效原理及影響因子；
c.提供提高雙85性能的解決方案。
②厚膜電阻
a.測(cè)試常規(guī)厚膜電阻雙85試驗(yàn)（85℃/85%RH），直至產(chǎn)品開(kāi)路失效（阻值變化率≥±5%）；
b.分析試驗(yàn)開(kāi)路失效原理及影響因子；
c.提供提高雙85性能的解決方案。
（七）影響射頻電阻、衰減器駐波比、衰減量的關(guān)鍵因素研究
1、問(wèn)題描述
射頻電阻是電阻器行業(yè)的高端品種之一，目前國(guó)內(nèi)片阻行業(yè)對(duì)該產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)仍在起步階段，整體生產(chǎn)規(guī)模較小，對(duì)射頻類電阻器件在高頻工作環(huán)境下的特性和應(yīng)用特征了解不足。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
研究射頻器件使用的材料、圖形設(shè)計(jì)、工藝結(jié)構(gòu)、調(diào)阻方式等的最優(yōu)工藝方案，使用該工藝方案可制備出電壓駐波比和衰減量特性達(dá)到對(duì)應(yīng)規(guī)格射頻器件技術(shù)要求的產(chǎn)品。
（八）金屬箔電阻的粘結(jié)劑、端頭材料及工藝研究
1、問(wèn)題描述
金屬箔電阻是電阻器行業(yè)的高端品種之一，目前國(guó)內(nèi)片阻行業(yè)對(duì)該產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)仍在起步階段，整體生產(chǎn)規(guī)模較小。金屬箔電阻在高溫工作環(huán)境下，需要穩(wěn)定的產(chǎn)品特性和應(yīng)用特征，且工藝特征特殊，在產(chǎn)品的材料、工藝流程與參數(shù)的優(yōu)化等方面的研究仍處于摸索階段。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①5μm厚度NiCr箔材粘結(jié)劑的材料以及使用工藝研究；
④5μm厚度NiCr箔材與輸出端頭（電阻端頭）材料及使用工藝的研究。
（九）薄膜高Q型片式電感器關(guān)鍵材料及工藝技術(shù)研究
1、問(wèn)題描述
疊層薄膜高Q型片式電感器是未來(lái)5G技術(shù)發(fā)展的核心被動(dòng)元器件，此類型電感具有高諧振、高Q值和低直流電阻等特點(diǎn)。目前疊層薄膜高Q型片式電感器存在高性能銀漿依賴進(jìn)口、產(chǎn)品Q值較低等問(wèn)題。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
基于薄膜黃光工藝技術(shù)，通過(guò)對(duì)感光銀漿及工藝技術(shù)改進(jìn)開(kāi)發(fā)，進(jìn)行疊層薄膜高Q型片式電感器的開(kāi)發(fā)。
（十）面向靶材制造用復(fù)合多組分熱噴涂粉體的開(kāi)發(fā)
1、問(wèn)題描述
LowE玻璃中使用量大、比較關(guān)鍵的靶材之一是ZnSn合金靶材，通過(guò)磁控濺射時(shí)引入氧氣獲得氧化物陶瓷薄膜。但是，這種金屬靶材表面反應(yīng)濺射時(shí)容易中毒，影響連續(xù)鍍膜。現(xiàn)根據(jù)靶材市場(chǎng)的需要開(kāi)發(fā)面向LowE玻璃應(yīng)用的熱噴涂粉體材料，目前該靶材在外資企業(yè)取得了突破，在LowE玻璃企業(yè)通過(guò)了測(cè)試并導(dǎo)入了量產(chǎn)。據(jù)調(diào)研，該靶材所用的粉體材料由國(guó)外企業(yè)提供，急需實(shí)現(xiàn)材料的國(guó)產(chǎn)化。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①開(kāi)發(fā)出符合LowE玻璃應(yīng)用的配方體系；
②設(shè)計(jì)出具有競(jìng)爭(zhēng)力的工藝流程。
（十一）端頭Sn鍍層質(zhì)量提升
1、問(wèn)題描述
端頭鍍Sn方面目前主要存在以下問(wèn)題：（1）端頭Sn鍍層硬度偏低，導(dǎo)致在測(cè)試篩選時(shí)由于夾具擠壓產(chǎn)生大量Sn碎屑，Sn鍍層缺失嚴(yán)重影響芯片端頭的可焊性和耐焊性。Sn鍍層硬度低于村田、太誘和三星等廠商的同類產(chǎn)品。（2）Sn層晶粒粗大，粗糙度較大，不夠光亮；（3）部分廠家的鍍錫藥水電鍍的芯片Sn鍍層結(jié)合力較差；（4）Sn鍍層厚度均勻性較差。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①Sn電鍍藥水成分和電鍍工藝參數(shù)對(duì)Sn層硬度、粗糙度、結(jié)合力和厚度均勻性的影響規(guī)律；
②Sn層硬度、粗糙度、結(jié)合力和厚度均勻性提升的解決策略。
（十二）巴塊變形行為研究
1、問(wèn)題描述
MLCC在疊層、靜水壓合后，巴塊容易出現(xiàn)不規(guī)則變形，切割芯片時(shí)出現(xiàn)切偏、切廢等問(wèn)題，影響產(chǎn)品的可靠性。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
完成變形的機(jī)理研究，找出影響巴塊變形的因素，并提出相應(yīng)的解決方案。
（十三）精密薄膜電阻的激光調(diào)阻工藝開(kāi)發(fā)
1、問(wèn)題描述
薄膜電阻由于其各方面的優(yōu)勢(shì)越來(lái)越受到市場(chǎng)關(guān)注，阻值修調(diào)作為薄膜電阻制備工藝中不可或缺的主要部分，直接影響到最終產(chǎn)品的成品率和精度。激光調(diào)阻作為當(dāng)前最精密的電阻阻值修調(diào)方法之一，對(duì)目前鎳鉻系產(chǎn)品已經(jīng)廣泛采用，但對(duì)于溫度敏感類薄膜材料制備的薄膜電阻（PTC&NTC），以及多膜層結(jié)構(gòu)薄膜電阻的修調(diào)仍面臨許多的技術(shù)問(wèn)題。主要包括以下方面：
①激光調(diào)阻方式無(wú)法滿足目標(biāo)阻值和阻值精度的需求；
②激光調(diào)阻圖形存在毛刺、卷邊、邊緣不平整、堆積等情況；
③激光修調(diào)工藝選擇無(wú)參考修調(diào)模型；
④適用于批量生產(chǎn)的調(diào)阻工藝有待開(kāi)發(fā)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)多膜層修調(diào)的準(zhǔn)確調(diào)控。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①調(diào)阻材料：NTC、PTC熱敏薄膜電阻、多膜層結(jié)構(gòu)薄膜電阻；
②調(diào)阻精度：±0.01% ；
③激光調(diào)阻圖形質(zhì)量良好；
④圖形精度：±1μm；
⑤多膜層包括但不限于金屬電阻層+氧化物保護(hù)層，在不損傷表層保護(hù)層的情況下實(shí)現(xiàn)底層金屬電阻層的修調(diào)；
⑥工藝穩(wěn)定可重復(fù)；
⑦量化激光調(diào)阻工藝參數(shù)，并建立適用于量產(chǎn)的修調(diào)模型。
（十四）低壓壓敏電阻器材料及工藝技術(shù)
1、問(wèn)題描述。低壓壓敏電阻是指壓敏電壓在68V以下的壓敏電阻器，其技術(shù)難點(diǎn)主要有兩點(diǎn)：電壓分散，合格率低；電壓低，雷擊性能要求高。而目前低壓壓敏材料主要依賴于外購(gòu)。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。開(kāi)發(fā)出符合性能要求的低壓壓敏材料配方。
（十五）銅電極壓敏電阻器材料及工藝技術(shù)
1、問(wèn)題描述。 目前壓敏電阻器使用的是銀漿料作為電極材料，而銀作為貴金屬，價(jià)格高，對(duì)生產(chǎn)成本造成重大影響，需要尋找價(jià)格低廉的電極材料及相關(guān)的生產(chǎn)工藝替代方案。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。開(kāi)發(fā)具有成本優(yōu)勢(shì)的電極材料，并實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)工藝替代。
（十六）低介電常數(shù)微晶玻璃瓷粉開(kāi)發(fā)
1、問(wèn)題描述
LTCC濾波器是目前5G通訊領(lǐng)域正大規(guī)模使用的電子元器件，目前制備濾波器的低介電常數(shù)瓷粉主要有兩種，一種是微晶玻璃方案，另一種是玻璃+陶瓷方案。現(xiàn)階段，美國(guó)Ferro公司生產(chǎn)的低介電常數(shù)FerroA6瓷粉以Ca-B-Si微晶玻璃體系為主導(dǎo)，占據(jù)了LTCC用低介瓷粉半壁江山；以玻璃+陶瓷方案為主導(dǎo)的杜邦系列產(chǎn)品占據(jù)了幾乎剩余的市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)各大廠家及科研機(jī)構(gòu)近兩年來(lái)瞄準(zhǔn)了LTCC濾波器的應(yīng)用市場(chǎng)前景，紛紛大力開(kāi)發(fā)此類瓷粉，其中以玻璃+陶瓷方案居多。玻璃+陶瓷方案雖能基本滿足現(xiàn)有LTCC濾波器的材料指標(biāo)要求，但是玻璃與陶瓷的匹配性以及瓷粉與Ag漿的匹配性限制了玻璃體系，同時(shí)由于玻璃成分偏多，導(dǎo)致其介電損耗偏大。以Ca-B-Si微晶玻璃體系為主的低介瓷粉則是單一玻璃組成，且析出的微晶玻璃相能夠避免玻璃與陶瓷不匹配情況，同時(shí)析出的微晶相能夠有效降低材料的損耗，是一種更加理想的LTCC瓷粉。但是Ca-B-Si微晶玻璃體系制備困難，主要體現(xiàn)在：①微晶成分控制難；②普遍存在燒結(jié)后瓷體發(fā)黑現(xiàn)象；③批量穩(wěn)定制備困難。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①制備介電性能可以和FerroA6相匹配的微晶玻璃，并制備成玻璃粉；
②玻璃粉能夠和Ag匹配共燒，且不存在Ag擴(kuò)散現(xiàn)象；
③提供批量制備該微晶玻璃的技術(shù)方案和詳細(xì)的配方工藝技術(shù)指導(dǎo)書(shū)。
（十七）超微尺寸LTCC元器件結(jié)構(gòu)仿真設(shè)計(jì)
1、問(wèn)題描述
LTCC元器件是目前以及下一代5G通訊領(lǐng)域大規(guī)模使用的電子元器件。無(wú)論是高低通濾波器，帶通濾波器還是巴倫都廣泛使用于各種規(guī)格的移動(dòng)終端通訊設(shè)備中。國(guó)際大廠如村田，TDK，MINI等廠家已將各種尺寸以及頻率的元器件系列化生產(chǎn)并且不斷開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)大廠如嘉興佳利，深圳順絡(luò)電子已經(jīng)將1608尺寸系列化。而1005元器件研發(fā)困難，主要體現(xiàn)在：①體積更小，內(nèi)部結(jié)構(gòu)排布非常密集；②某些元件預(yù)測(cè)采用半集總或者全耦合的新技術(shù)方案；③電腦算力要求較高，需要額外的算力。
2、需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題
①設(shè)計(jì)高性能LTCC元器件，主要為1005超微尺寸，包括濾波器，巴倫等；
②仿真結(jié)果符合工藝要求，并留有一定的工藝窗口；
③提供一系列的等效電路圖以及仿真模型。
四、課題申請(qǐng)
符合條件的申請(qǐng)人，可登陸網(wǎng)站“ http://www.fenghua-advanced.com:7709/”注冊(cè)會(huì)員后開(kāi)展相關(guān)課題申請(qǐng)工作。
（一）會(huì)員注冊(cè)。登陸實(shí)驗(yàn)室網(wǎng)站，點(diǎn)擊“會(huì)員注冊(cè)”完善個(gè)人基本信息，實(shí)驗(yàn)室通過(guò)審核后，即可登陸“開(kāi)發(fā)課題管理平臺(tái)”開(kāi)展申請(qǐng)工作。
（二）課題申請(qǐng)。
1、部分指定開(kāi)放課題的具體技術(shù)指標(biāo)要求，須與實(shí)驗(yàn)室聯(lián)系獲取，聯(lián)系方式按指南所列。
2、申請(qǐng)人在線填寫(xiě)“開(kāi)放課題申請(qǐng)簡(jiǎn)表”，并按照“開(kāi)放課題附件上傳類目”的要求上傳相關(guān)附件（開(kāi)放課題申請(qǐng)表、申請(qǐng)材料真實(shí)性聲明可在開(kāi)放課題管理平臺(tái)“下載中心”欄下載）。
（三）形式審查。實(shí)驗(yàn)室管理部對(duì)申請(qǐng)材料的合規(guī)性、一致性、完整性進(jìn)行審查核實(shí)，形式審查通過(guò)后將郵件通知申請(qǐng)人提交紙質(zhì)材料。
（四）紙質(zhì)材料。通過(guò)形式審查的申請(qǐng)人打印申報(bào)材料，并附相關(guān)附件，經(jīng)所在單位加蓋公章后，在8月20日前將紙質(zhì)版材料（原件1份，復(fù)印件2份）郵寄實(shí)驗(yàn)室管理部（日期以寄出郵戳為準(zhǔn)）。電子版請(qǐng)發(fā)送至fhrd@china-fenghua.com。
（五）專家評(píng)審。實(shí)驗(yàn)室管理部組織專家進(jìn)行評(píng)審，主要以申請(qǐng)人的研發(fā)實(shí)力（包括研發(fā)設(shè)施、環(huán)境、研發(fā)團(tuán)隊(duì)、取得成果）、產(chǎn)學(xué)研合作經(jīng)驗(yàn)、基礎(chǔ)，項(xiàng)目帶頭人項(xiàng)目管理經(jīng)驗(yàn)、誠(chéng)信度、服務(wù)水平，以及課題經(jīng)費(fèi)為考評(píng)依據(jù)，對(duì)申請(qǐng)人進(jìn)行全面評(píng)議，確定資助課題。
（六）公告及合同簽訂。獲實(shí)驗(yàn)室資助的課題將于實(shí)驗(yàn)室網(wǎng)站“信息動(dòng)態(tài)欄”進(jìn)行公告，并于公告日起30日內(nèi)與申請(qǐng)人簽訂具體項(xiàng)目的合作合同。
五、課題實(shí)施期限及經(jīng)費(fèi)要求
（一）實(shí)驗(yàn)室指定開(kāi)放課題實(shí)施期間為簽訂合同之日起2年內(nèi)完成。現(xiàn)場(chǎng)工藝技術(shù)課題資助額度一般為5-15萬(wàn)元，應(yīng)用基礎(chǔ)研究課題資助額度一般為10-25萬(wàn)元，基礎(chǔ)研究課題資助額度一般為15-30萬(wàn)元，具體以簽訂的合同為準(zhǔn)。
（二）實(shí)驗(yàn)室自主命題開(kāi)放課題5-10萬(wàn)元/項(xiàng)，課題期限一般不超過(guò)2年，具體以簽訂的合同為準(zhǔn)。
查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.china-fenghua.com/news/newsShow.aspx?m=115001&i=100000500776823。（Donna Zhang，張底剪報(bào)）
|
|
| → 『關(guān)閉窗口』 |
|
| |
|
|
|
|
|
|
