射頻識別（Radio Frequency Identification，RFID）又稱電子標簽，是一種利用射頻信號自動識別目標對象并獲取相關信息的技術，它具有條碼無法提供的整批讀取、可讀寫大量資料、可編程性等特點，在零售、物流、交通、通信終端、醫療等領域具有廣闊應用前景。

基本的RFID系統由RFID標簽（Tag）、RFID閱讀器（Reader）及應用支撐軟件等幾部分組成。按照制造流程區分，其價格體系主要由RFID晶片、天線、封裝技術、載體、記憶體、電池等決定。

1、芯片設計技術

按照能量供給方式的不同，RFID標簽可以分為被動標簽、半主動標簽和主動標簽，其中半主動標簽和主動標簽中芯片的能量由電子標簽所附的電池提供，主動標簽可以主動發出射頻信號。

按照工作頻率的不同，RFID標簽可以分為低頻(LF)、高頻(HF)、超高頻(UHF)和微波等不同種類。不同頻段的RFID工作原理不同，LF和HF頻段RFID電子標簽一般采用電磁耦合原理，而UHF及微波頻段的RFID一般采用電磁發射原理。不同頻段標簽芯片的基本結構類似，一般都包含射頻前端、模擬前端、數字基帶和存儲器單元等模塊。其中，射頻前端模塊主要用于對射頻信號進行整流和反射調制；模擬前端模塊主要用于產生芯片內所需的基準電源和系統時鐘，進行上電復位等；數字基帶模塊主要用于對數字信號進行編碼解編碼以及進行防碰撞協議的處理等；存儲器單元模塊用于信息存儲。

目前，發達國家在多種頻段都實現了RFID標簽芯片的批量生產，模擬前端多采用了低功耗技術，無源微波RFID標簽的工作距離可以超過1米，無源超高頻RFID標簽的工作距離可以達到5米以上，功耗可以做到幾個微瓦，批量成本接近十美分。

射頻標簽的通信標準是標簽芯片設計的依據，目前國際上與RFID相關的通信標準主要有:ISO/IEC 18000標準（包括7個部分，涉及125KHz、13.56MHz、433MHz、860-960MHz、2.45GHz等頻段），ISO11785（低頻）、ISO/IEC 14443標準（13.56MHz）、ISO/IEC 15693標準（13.56MHz），EPC標準（包括Class0, Class1和GEN2等三種協議,涉及HF和UHF兩種頻段）,DSRC標準（歐洲ETC標準，含5.8GHz）。目前電子標簽芯片的國際標準出現了融合的趨勢，ISO/IEC 15693標準已經成為ISO18000-3標準的一部分，EPC GEN2標準也已經啟動向ISO18000-6 Part C標準的轉化。

2、芯片制造技術

半導體芯片制造工藝有多種類型，根據器件類型可分CMOS、Bipolar、BICMOS等，根據材料可分Si、Ge、GaAs工藝等，根據襯底類型可分體硅工藝、SOI工藝等。RFID應用特點是批量大，但成本極其敏感，盡管有廠家利用特殊工藝設計制造出相應產品，但綜合多種因素及國內實際情況，基于CMOS制造工藝的工藝技術比較適合目前應用需求的RFID的加工制造。目前國外也主要采用標準CMOS工藝，且普遍采用0.35μm以下工藝。 

3、德州儀器EPC Gen 2硅芯片技術

一般來說，面向超高頻(UHF)應用的RFID技術與金屬產品或金屬環境之間總是很難配合，如同油與水的關系，這使得通過RFID技術管理金屬產品零售供應鏈(RSC)面臨嚴峻的挑戰。為應對上述挑戰，韓國RFID組件與中間件開發商與制造商Sontec公司10月12宣布推出多款采用德州儀器(TI) EPC Gen 2 IC芯片的貼裝金屬標簽與針對金屬的RFID應答器。根據協議，TI將向Sontec提供1,000萬片射頻識別(RFID) Gen 2芯片，首批貨物已經交付，其余部分將在2007年上半年前交付。

通常說來，RFID標簽發射的無線電波在UHF頻段下會被金屬反射，而且金屬制品產生的渦流效應也會造成電波衰減，從而降低讀取距離性能，對要求10-30英尺讀取距離的零售供應鏈應用來說，這將會影響標簽的使用效果。

Sontec標簽采用TI通過EPCglobal認證的最新Gen 2 UHF IC芯片。TI以晶圓與條狀芯片形式提供的Gen 2硅芯片由最高級的130納米模擬過程節點開發而成，內置的肖特基二極管提高了RF信號能量的轉換效率，這樣，芯片實現了低功耗與芯片至讀卡器的更高靈敏度。

隨著半導體技術的成熟，RFID晶片不再是影響RFID標簽成本之唯一因素。另外兩個影響RFID標簽成本的核心制造技術還有天線設計及封裝技術。