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→ 電子制造(技術聚焦)
蘇大維格高精度微納3D打印技術
2018/11/18 12:41:52
在IC芯片、生物芯片工程、微納功能材料的研究和應用中,光刻技術扮演了不可或缺的角色。利用微納光刻技術與增材制造的原理,開發的微結構3D打印技術是一項前瞻性、戰略性技術。由于其工程應用性強,領域跨度大,對未來先進制造業,尤其是高端制造、功能器件的發展十分重要。然而,已有的3D打印技術在打印精度、幅面上仍難以滿足高精度器件的研究與應用需求。例如,針對生物應用領域,3D打印技術仍未有效解決打印尺寸與打印精度不能兼顧的難題。
 
一方面,基于超快激光的雙光子效應的立體造型技術,可實現小到0.1μm的3D結構打印,然而,由于其單束串行打印模式,工作效率極低,幅面小(數百微米),達不到高精度生物芯片的研制的要求。另一方面,基于紫光投影的光固化立體造型技術,受限于現有浸沒型打印模式、光學投影系統分辨率與數據處理的影響,打印的橫向精度(特征尺寸)大于60微米的結構,難以滿足生物芯對微小結構、較大面積的制作要求。因此,高精度微納3D打印系統雖有很大市場需求,卻一直是未能攻克的難題。
蘇大維格研發團隊利用在大面積微納直寫裝備、大數據圖形設計與處理、R2R納米壓印技術的研制與應用方面的長期技術積累,將微納光刻光路系統應用于3D打印的光學結構中,將3D打印系統的橫向打印精度提高了一個數量級。不同于以往立體光固化(SLA)3D打印機,被打印物體均是浸沒在膠槽中,縱向打印精度由光斑聚焦深度決定的方法,橫向與縱向打印分辨率都低。
新的“涂層-曝光-分離”打印模式,獲得了更高的縱向(分層)打印精度。 團隊開發的逐層涂布,逐層打印微結構的光固化分離的新型SLA 3D打印技術,使3D物體縱向打印精度顯著提高。攻克了以往SLA 3D打印機,后繼打印層過程對已打印層有較大影響的共性難題。研制的“微納3D打印系統Multi-μ 3D Printer”,可打印極高精度的微3D結構。橫向精度(特征結構)5μm-25μm(投影分辨率1微米),縱向精度(層厚)2μm-20μm。
上述高精度3D打印機將是微納3D打印系統之一。結合微納壓印/轉印技術,微納3D打印系統Multi-μ 3D Printer,有望在生物芯片、傳感器、MEMS器件制備等方面發揮重要作用。
查詢進一步信息,請訪問官方網站
http://www.svgoptronics.com/index.php?route=information/article&article_category_id=2&article_id=25
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